芯联集成获得发明专利授权：“半导体器件的制备方法及半导体器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件的制备方法及半导体器件”，专利申请号为CN202410773469.2，授权日为2025年2月7日。

专利摘要：本申请实施例涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括：提供第一衬底，第一衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面，第一衬底包括从第一表面至第二表面的方向依次层叠的第一半导体材料层、牺牲层、以及第二半导体材料层；在第二表面侧形成凹槽，凹槽由第二表面向第一表面延伸贯穿牺牲层；在凹槽内填充材料以形成支撑结构；在第二表面侧形成正面器件结构，正面器件结构包括晶体管；在第一表面侧形成释放孔，释放孔由第一表面向第二表面延伸直至暴露牺牲层；通过释放孔去除至少部分牺牲层，以在被去除的牺牲层的位置处形成空腔，空腔用于在晶体管与第一半导体材料层之间形成隔离。由此，有利于避免器件塌陷，降低工艺难度，保障器件性能。

今年以来芯联集成新获得专利授权5个，较去年同期减少了28.57%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了8.69亿元，同比增33.75%。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。