长光华芯获得发明专利授权：“半导体发光结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体发光结构及其制备方法”，专利申请号为CN202411266378.6，授权日为2025年2月7日。

专利摘要：本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构中，第一限制层、所述第一波导层、第二波导层和第二限制层的至少一个还包括特征元素，特征元素不同于主体材料中的元素且不同于掺杂元素，特征元素的摩尔百分比浓度为0.01%~1%，特征元素为二族元素、三族元素、四族元素和五族元素的一种或多种的组合；当第一限制层和/或第一波导层中具有特征元素时，在第一限制层和/或第一波导层中，特征元素的电负性小于掺杂元素的电负性；当第二限制层和/或第二波导层中具有特征元素时，在第二限制层和/或第二波导层中，特征元素的电负性大于所述掺杂元素的电负性。半导体发光结构的可靠性提高。

今年以来长光华芯新获得专利授权4个，较去年同期增加了100%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6219.78万元，同比增13.56%。

数据来源：天眼查APP

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