横店东磁获得发明专利授权：“一种TBC太阳能电池的制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示横店东磁（002056）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种TBC太阳能电池的制备方法”，专利申请号为CN202411266731.0，授权日为2024年12月27日。

专利摘要：本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种TBC太阳能电池的制备方法。本发明采用单层i?poly?Si层结合紫外激光氧化形成掩膜进行掺杂扩散得到TBC太阳能电池，全制备过程仅需一次i?poly?Si沉积及一次激光开槽，可避免多次i?poly?Si沉积引起的热应力分布不均匀导致产品性能和良品率降低等方面问题；同时一次激光开槽可减少对硅片的损伤，提升Voc；此外采用一次i?poly?Si沉积还可以大幅减少特气用量，降低生产成本。此外，本发明方法制得的TBC太阳能电池中，硅片背面的i?poly?Si层形成n+?poly?Si层高度基本一致，有助于后续电极层的制备，可进一步提高产品性能和良品率。

今年以来横店东磁新获得专利授权91个，较去年同期减少了59.19%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了3.91亿元，同比减25.49%。

数据来源：天眼查APP

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