晶合集成获得实用新型专利授权：“一种用于量测MOS管的导通电阻的电路结构和芯片”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种用于量测MOS管的导通电阻的电路结构和芯片”，专利申请号为CN202323643246.4，授权日为2024年12月13日。

专利摘要：本实用新型提供了一种用于量测MOS管的导通电阻的电路结构和芯片，包括MOS管、第一接线端、第二接线端、第三接线端和第四接线端；MOS管包括栅极、漏极、源极和衬底极；漏极分别与第一接线端和第二接线端连接；源极分别与第三接线端和第四接线端连接；第一接线端、第二接线端、三接线端、第四接线端和导通状态下的MOS管用于组成开尔文桥式电路。本方案采用类似开尔文测电阻的原理，可以减小量测过程中接触电阻、测量设备的电阻和导线的电阻等外部引入的电阻对量测结果的影响，提高了量测MOS管的导通电阻的准确度。MOS管的导通电阻较小时，使用本实用新型提供的电路结构能够使量测结果的准确度明显提高。

今年以来晶合集成新获得专利授权287个，较去年同期增加了18.6%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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