中微公司获得发明专利授权：“一种基片的刻蚀方法及其存储介质和电子设备”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中微公司（688012）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种基片的刻蚀方法及其存储介质和电子设备”，专利申请号为CN202411164700.4，授权日为2024年12月20日。

专利摘要：本发明公开了一种基片的刻蚀方法及其存储介质和电子设备，该基片的刻蚀方法包含：多次重复执行的处理周期，处理周期包括刻蚀阶段和沉积阶段；刻蚀阶段中，向腔内通入刻蚀气体，并通过一源射频电源向腔内提供源射频电压，以产生等离子体对基片进行刻蚀形成凹陷结构；沉积阶段中，向腔内通入沉积气体和开口气体，并通过源射频电源和一偏置电源向腔内分别提供源射频电压和偏置电压，沉积气体在源射频电源的作用下产生等离子体并在凹陷结构的侧壁和底壁上沉积保护层，开口气体产生的等离子体在偏置电源的作用下用于消除凹陷结构的底壁上的保护层。其优点是：该方法在沉积阶段中只在凹陷结构的侧壁上沉积保护层，节省了工艺步骤，有助于提高生产效率。

今年以来中微公司新获得专利授权116个，较去年同期减少了22.15%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了5.68亿元，同比增94.58%。

数据来源：天眼查APP

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