海信家电获得发明专利授权：“半导体装置的制造方法和半导体装置”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示海信家电（000921）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体装置的制造方法和半导体装置”，专利申请号为CN202410134331.8，授权日为2024年12月20日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体装置的制造方法和半导体装置，半导体装置的制造方法包括：制备第一导电类型的衬底；在第一导电类型的衬底上设置栅极沟槽，其中，栅极沟槽从第一主面在第一方向朝向靠近第二主面的一侧延伸设置；在衬底中设置第一导电类型的载流子积蓄层和第二导电类型的基极层，栅极沟槽贯穿基极层和载流子积蓄层，基极层第一方向上的深度为H1，H1满足关系式：H1＞1um。由此，通过在衬底中设置载流子积蓄层，并且保证基极层第一方向上的深度超过1um，从而不仅可以低半导体装置的导通压降和导通损耗，而且还可以保证半导体装置的开关性能。

今年以来海信家电新获得专利授权180个，较去年同期增加了4.65%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了16.44亿元，同比增32.15%。