芯联集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制备方法”，专利申请号为CN202411188090.1，授权日为2024年12月3日。

专利摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括：提供第一晶圆，在第一晶圆上的第一键合面上形成第一金属密封环，第一金属密封环的外侧具有间隔设置的至少三个第一凹槽；提供第二晶圆，在第二晶圆上的第二键合面上形成与第一金属密封环形状匹配的第二金属密封环，第二金属密封环的外侧具有间隔设置的至少三个第二凹槽；通过隔片间隔第一晶圆和第二晶圆，并通过固定件对第一晶圆和第二晶圆进行固定；将第一晶圆、第二晶圆、固定件和隔片整体放入键合腔室中，控制腔室达到预设的真空度和气体氛围，并对第一金属密封环和第二金属密封环预热；移除隔片，将第一金属密封环和第二金属密封环键合。根据本申请的技术方案，能实现更好的键合效果。

今年以来芯联集成新获得专利授权72个，较去年同期增加了18.03%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了8.69亿元，同比增33.75%。

数据来源：天眼查APP

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