新洁能获得发明专利授权：“沟槽功率半导体器件及制造方法”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示新洁能（605111）新获得一项发明专利授权，专利名为“沟槽功率半导体器件及制造方法”，专利申请号为CN202011171440.5，授权日为2024年11月29日。

专利摘要：本发明涉及一种沟槽功率半导体器件及制造方法，它包括漏极金属、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第一类沟槽、第二类沟槽、第三类沟槽、第一类氧化层、第二类氧化层、第三类氧化层、第一类导电多晶硅、第二类导电多晶硅、第三类导电多晶硅、第二导电类型体区、第一导电类型源区、绝缘介质层、源极金属、有源区、第一过渡区与第二过渡区；所述第一类氧化层的厚度小于第二类氧化层以及第三类氧化层的厚度，第二类氧化层与第三类氧化层的厚度相等。本发明由于第一类氧化层的厚度小于第二类氧化层、第三类氧化层以及第四类氧化层的厚度，可以保证终端击穿电压高于元胞击穿电压，提高了器件可靠性。

今年以来新洁能新获得专利授权30个，较去年同期增加了100%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了4046.81万元，同比减13.75%。

数据来源：天眼查APP

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