首页 - 股票 - 公司新闻 - 正文

国星光电获得发明专利授权：“一种半导体器件气密性的检测方法”

来源：证券之星企业动态 2024-11-16 03:38:54

涉企侵权信息举报专区

关注证券之星官方微博：

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示国星光电（002449）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件气密性的检测方法”，专利申请号为CN202111368064.3，授权日为2024年11月8日。

专利摘要：本发明涉及一种半导体器件气密性的检测方法，所述检测方法包括如下步骤：将半导体器件置于红外光激发的上转换材料染色溶液中，在真空或高压环境中静置后再恢复常压，利用波长范围为700?1200nm红外激发光源照射半导体器件，完成半导体器件气密性的检测。本发明所述检测方法能方便无干扰地分辨半导体器件的空洞存在的位置和深度，气密性检测效率高。

今年以来国星光电新获得专利授权58个，较去年同期增加了20.83%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了9308.86万元，同比增16.26%。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成，不构成投资建议。

证券之星微信

扫描二维码

证券之星微信

相关股票：

好投资评级：

好价格评级：

证券之星估值分析提示国星光电盈利能力较差，未来营收成长性一般。综合基本面各维度看，股价偏高。更多>>

精彩推荐

内容精选

下载证券之星

郑重声明：以上内容与证券之星立场无关。证券之星发布此内容的目的在于传播更多信息，证券之星对其观点、判断保持中立，不保证该内容（包括但不限于文字、数据及图表）全部或者部分内容的准确性、真实性、完整性、有效性、及时性、原创性等。相关内容不对各位读者构成任何投资建议，据此操作，风险自担。股市有风险，投资需谨慎。如对该内容存在异议，或发现违法及不良信息，请发送邮件至jubao@stockstar.com，我们将安排核实处理。如该文标记为算法生成，算法公示请见网信算备310104345710301240019号。

网站导航 | 公司简介 | 法律声明 | 诚聘英才 | 征稿启事 | 联系我们 | 广告服务 | 举报专区

欢迎访问证券之星！请点此与我们联系版权所有： Copyright © 1996-年