长光华芯获得发明专利授权：“一种释放氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种释放氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法”，专利申请号为CN202411085164.9，授权日为2024年11月15日。

专利摘要：本申请公开了一种释放氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法，其中一种释放氧化应力的VCSEL芯片包括：衬底；位于衬底一侧依次生长的缓冲层、N?DBR层、N型掺杂层、有源区层、P型掺杂层、P?DBR层和欧姆接触层；其中，P型掺杂层包括依次设置的第一掺杂层、第一超晶格结构层、氧化层、第二超晶格结构层和第二掺杂层，第一超晶格结构层和第二超晶格结构层分别包括交替生长的两种或多种材料层。本申请公开的一种释放氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法，在保证正常的电流限制能力的同时，将应力弛豫到上下两层超晶格结构层中，简化工艺步骤，提高生产效率，提升器件工作寿命及可靠性，能广泛应用于激光器制造领域。

今年以来长光华芯新获得专利授权16个，较去年同期减少了54.29%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6219.78万元，同比增13.56%。

数据来源：天眼查APP

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