银河微电获得实用新型专利授权：“一种用于MOS管的双铝带焊接机构及其MOS芯片框架”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示银河微电（688689）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种用于MOS管的双铝带焊接机构及其MOS芯片框架”，专利申请号为CN202323396247.3，授权日为2024年11月1日。

专利摘要：本实用新型涉及MOS芯片生产领域，具体涉及一种用于MOS管的双铝带焊接机构及其MOS芯片框架。本实用新型实施例提供了一种用于MOS管焊接的双铝带焊接机构，包括：基岛单元，所述基岛单元上具有两装载工位，以装载两个MOS芯片；以及所述装载工位上具有G区管脚，所述G区管脚的截面为三角形。通过铝带将S区管脚与MOS管连接，相比铜线，提高产品的可靠性，在制程方面UPH也可以提到大比例提高，降低生产成本。通过将G区管脚设计为三角形，从而给S区管脚进行空间让位，使得铝带焊接时两侧的压爪能够压住多出的管脚，进而保证压合。增强了焊接强度，避免产品潜在的虚焊隐患，同时避免劈刀装压爪，减少耗材的消耗，降低生产成本。

今年以来银河微电新获得专利授权21个，较去年同期增加了61.54%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了2469.03万元，同比增15.38%。

数据来源：天眼查APP

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