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芯联集成获得发明专利授权:“一种半导体器件及其形成方法”

来源:证券之星企业动态 2024-11-16 03:22:15
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证券之星消息,根据天眼查APP数据显示芯联集成(688469)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种半导体器件及其形成方法”,专利申请号为CN202011175964.1,授权日为2024年11月15日。

专利摘要:本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。利用侧壁垂直或接近垂直的第一光阻层精度控制所形成的牺牲部,从而有利于在水平向上精确控制最终所形成的悬空部的宽度尺寸,以及还进一步利用该第一光阻层执行剥离工艺以形成上电极层,有效避免了上电极层和牺牲部受到表面损伤;并且,基于同一光阻层形成牺牲部和上电极层,还有利于实现上电极层的端部可以自对准的抵接至牺牲部的端部,进一步提高对最终所形成悬空部的形貌的控制精度。

今年以来芯联集成新获得专利授权66个,较去年同期增加了11.86%。结合公司2024年中报财务数据,今年上半年公司在研发方面投入了8.69亿元,同比增33.75%。

数据来源:天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理,由智能算法生成,不构成投资建议。

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