扬杰科技获得发明专利授权：“一种沟槽型SiCMOSFET及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种沟槽型SiCMOSFET及其制备方法”，专利申请号为CN202410623578.6，授权日为2024年9月13日。

专利摘要：一种高栅氧可靠性和低栅极电容的沟槽型SiC MOSFET及其制备方法，涉半导体技术领域。本发明采用调控栅极和N?耐压层的重合区域的大小来降低SiC MOSFET的栅极电容。传统的沟槽型SiC MOSFET，栅极和N?耐压层的重合区域的宽度等于沟槽的宽度，本发明创新性的采用两次沟槽刻蚀，使栅极和N?耐压层的重合区域的宽度低于沟槽的宽度，从而降低了栅极和N?耐压层的重合区域对栅极电容的贡献，达到降低SiC MOSFET栅极电容的益处，对比传统结构的沟槽型SiC MOSFET，相同工艺条件下，本发明制备的SiC MOSFET，栅极电容减小10%?20%。

今年以来扬杰科技新获得专利授权68个，较去年同期增加了83.78%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1.97亿元，同比增19.31%。

数据来源：天眼查APP

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