芯联集成获得发明专利授权：“一种沟槽栅晶体管”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种沟槽栅晶体管”，专利申请号为CN202410889022.1，授权日为2024年9月13日。

专利摘要：本申请实施例涉及一种沟槽栅晶体管，包括：半导体材料层，包括彼此相对的第一表面和第二表面；栅极沟槽，从半导体材料层的第一表面延伸至半导体材料层的内部，栅极沟槽包括侧壁和底壁；栅介质层，位于栅极沟槽内且包括覆盖栅极沟槽的侧壁的第一介质部和第二介质部；第一电场屏蔽结构，位于栅极沟槽外且邻接第一介质部；体区，位于栅极沟槽外且邻接第二介质部，体区中靠近栅极沟槽的部分用于形成沟道区；其中，第一介质部的厚度大于第二介质部的厚度；如此，通过增加与非沟道区邻接的栅介质层的厚度，实现了输入电容的降低，避免增加器件的开关损耗，并且不影响器件的导通性能。

今年以来芯联集成新获得专利授权60个，较去年同期增加了22.45%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了8.69亿元，同比增33.75%。