证券之星消息,根据天眼查APP数据显示芯朋微(688508)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种高压型复合器件”,专利申请号为CN202111410324.9,授权日为2024年9月6日。
专利摘要:本发明揭示了一种高压型复合器件,在高压JFET器件衬底内设置有高压JFET漏极耐压漂移区及高压JFET源极区,还包括高压JFET漏极有源区、高压JFET源极有源区;二极管结构设置于高压JFET漏极有源区上方、由第一多晶层及第二多晶层构成,多晶层间以PN结相连接;在高压JFET漏极有源区与二极管结构之间设置有一层栅氧化物,高压JFET漏极耐压漂移区的上方还设置一层场氧化物,场氧化物的上端面设置有高压JFET栅极。本发明基于目前常用的高压JEFT加工工艺,在不增加额外的器件面积及工艺层次的基础上实现了对包含高压JFET和稳流二极管的复合器件的制备。
今年以来芯朋微新获得专利授权4个,较去年同期增加了33.33%。结合公司2024年中报财务数据,今年上半年公司在研发方面投入了1.04亿元,同比增15.96%。
数据来源:天眼查APP
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