新洁能获得发明专利授权：“高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示新洁能（605111）新获得一项发明专利授权，专利名为“高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构及其制造方法”，专利申请号为CN202010535214.4，授权日为2024年9月6日。

专利摘要：本发明涉及一种高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构及其制造方法，包括漏极金属、第一导电类型衬底、外延层、沟槽、栅氧层、栅极导电多晶硅、绝缘介质层与源极金属，第二导电类型体区被沟槽切割成条状并且互相平行，在第二导电类型体区的上表面两侧均设有在沟槽的延伸方向上呈间隔设置的第一导电类型源区，在第二导电类型体区的上表面中部设有第二导电类型阱区，第一导电类型源区的下表面低于第二导电类型阱区的下表面，块状第二导电类型阱区沿着沟槽的延伸方向上呈间隔设置在第二导电类型阱区上，第一导电类型源区被块状第二导电类型阱区断开。本发明减小了寄生积极电阻，在器件击穿时，寄生三极管不容易开启，避免了发生回跳现象。

今年以来新洁能新获得专利授权26个，较去年同期增加了85.71%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了4046.81万元，同比减13.75%。

数据来源：天眼查APP

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