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新洁能获得发明专利授权：“高深宽比的超结功率半导体结构及其制造方法”

来源：证券之星企业动态 2024-09-07 02:34:43

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示新洁能（605111）新获得一项发明专利授权，专利名为“高深宽比的超结功率半导体结构及其制造方法”，专利申请号为CN202011169438.4，授权日为2024年9月6日。

专利摘要：本发明涉及一种高深宽比的超结功率半导体结构及制造方法，包括漏极金属、位于漏极金属上的第一导电类型单晶硅衬底及位于第一导电类型单晶硅衬底上的第一导电类型第一单晶硅外延层，在所述第一导电类型第一单晶硅外延层内设置第二导电类型柱，所述第二导电类型柱由掺杂了第二导电类型杂质的导电多晶硅形成，本发明能够消除第二导电类型柱内的填充间隙，增强填充性能，改善器件的漏电问题，提升器件的可靠性。

今年以来新洁能新获得专利授权26个，较去年同期增加了85.71%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了4046.81万元，同比减13.75%。

数据来源：天眼查APP

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