新洁能获得发明专利授权：“一种功率半导体器件及其制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示新洁能（605111）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种功率半导体器件及其制作方法”，专利申请号为CN201710866555.8，授权日为2024年9月6日。

专利摘要：本发明公开了一种功率半导体器件，包括元胞区和终端保护区，元胞区包括第一导电类型硅衬底第一导电类型外延层，第一导电类型外延层上形成有U型沟槽，其中，功率半导体器件还包括：填充在所述U型沟槽内的第一类绝缘介质体和第一类导电体，第一类绝缘介质体包围第一类导电体设置，且第一导电体的上端的两侧分别与第一类绝缘介质体以及所述第一导电类型外延层之间形成内沟槽，且内沟槽的截面形状为直角梯形，第一类绝缘介质体与第一导电体之间形成为直角梯形的锐角，内沟槽内均设置有与内沟槽形状相适配的栅极导电多晶硅。本发明还公开了一种功率半导体器件的制作方法。本发明提供的功率半导体器件明显降低了器件的导通电阻。

今年以来新洁能新获得专利授权26个，较去年同期增加了85.71%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了4046.81万元，同比减13.75%。

数据来源：天眼查APP

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