甬矽电子获得发明专利授权：“MEMS封装结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示甬矽电子（688362）新获得一项发明专利授权，专利名为“MEMS封装结构及其制备方法”，专利申请号为CN202410675200.0，授权日为2024年9月3日。

专利摘要：一种MEMS封装结构及其制备方法，涉及半导体封装结构技术领域。该MEMS封装结构包括基板、间隔设置在基板上且分别与基板电连接的硅麦芯片和控制芯片、设置在基板上且罩设于硅麦芯片和控制芯片外周的封装盖板，以及第一振膜；其中，封装盖板内设有进音腔，第一振膜设于进音腔内且与封装盖板连接，第一振膜将进音腔划分为沿第一方向排布的第一空腔和第二空腔，第一方向与基板的厚度方向平行；硅麦芯片和控制芯片分别位于第二空腔内，且分别与第一振膜具有间隙；封装盖板上设有与第一空腔连通的第一进音孔，基板上设有与第二空腔连通的第二进音孔。该MEMS封装结构能够两个方向进音，能够提高MEMS封装结构的应用场景的多样性。

今年以来甬矽电子新获得专利授权40个，与去年同期持平。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了9398.43万元，同比增52.57%。

数据来源：天眼查APP

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