证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶丰明源（688368）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件结构及其制备方法”，专利申请号为CN201811308076.5，授权日为2024年8月23日。
专利摘要：本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，包括：第一掺杂类型的衬底、第二掺杂类型的第一阱区、第一漏极、第一源极、第一栅氧化层、多晶硅栅极、第二栅氧化层、第二掺杂类型的衬底材料层、第二掺杂类型的第二阱区、第二漏极、第二源极及第一掺杂类型的体区。本发明的半导体器件结构在获得高耐压的前提下，可以有效降低比导通电阻，打破了现有的硅极限。
今年以来晶丰明源新获得专利授权35个，较去年同期增加了52.17%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了2.94亿元，同比减3.08%。
数据来源：天眼查APP
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