晶丰明源获得发明专利授权：“半导体器件结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶丰明源（688368）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件结构及其制备方法”，专利申请号为CN201811308752.9，授权日为2024年8月23日。

专利摘要：本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，包括：第一掺杂类型的衬底；场氧化层，位于第一掺杂类型的衬底的上表面；多晶硅栅极，位于部分场氧化层的上表面；栅氧化层，位于多晶硅栅极的上表面及部分场氧化层的上表面；第二掺杂类型的衬底材料层，位于栅氧化层的上表面；第二掺杂类型的第一阱区，位于第二掺杂类型的衬底材料层内；阳极区域，位于第二掺杂类型的衬底材料层内；阴极区域，位于第二掺杂类型的衬底材料层内；第一掺杂类型的体区，位于第二掺杂类型的衬底材料层内。本发明的半导体器件结构不会出现栓锁效应，器件更容易关断，且不会影响其他器件的集成；同时，本发明的半导体器件结构具有成本低，制备工艺简单等优点。

今年以来晶丰明源新获得专利授权35个，较去年同期增加了52.17%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了2.94亿元，同比减3.08%。

数据来源：天眼查APP

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