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晶丰明源获得发明专利授权:“半导体器件结构及其制备方法”

来源:证券之星企业动态 2024-08-24 02:31:14
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证券之星消息,根据天眼查APP数据显示晶丰明源(688368)新获得一项发明专利授权,专利名为“半导体器件结构及其制备方法”,专利申请号为CN201811308752.9,授权日为2024年8月23日。

专利摘要:本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法,包括:第一掺杂类型的衬底;场氧化层,位于第一掺杂类型的衬底的上表面;多晶硅栅极,位于部分场氧化层的上表面;栅氧化层,位于多晶硅栅极的上表面及部分场氧化层的上表面;第二掺杂类型的衬底材料层,位于栅氧化层的上表面;第二掺杂类型的第一阱区,位于第二掺杂类型的衬底材料层内;阳极区域,位于第二掺杂类型的衬底材料层内;阴极区域,位于第二掺杂类型的衬底材料层内;第一掺杂类型的体区,位于第二掺杂类型的衬底材料层内。本发明的半导体器件结构不会出现栓锁效应,器件更容易关断,且不会影响其他器件的集成;同时,本发明的半导体器件结构具有成本低,制备工艺简单等优点。

今年以来晶丰明源新获得专利授权35个,较去年同期增加了52.17%。结合公司2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了2.94亿元,同比减3.08%。

数据来源:天眼查APP

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