有研硅获得发明专利授权：“一种用于键合工艺的硅衬底抛光片的制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示有研硅（688432）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种用于键合工艺的硅衬底抛光片的制备方法”，专利申请号为CN202111616066.X，授权日为2024年8月20日。

专利摘要：本发明公开了一种用于键合工艺的硅衬底抛光片的制备方法，包括以下步骤：(1)采用磁场拉晶法进行拉晶，磁场类型为水平磁场，磁场强度为1000?5000高斯，磁场形状为马鞍形，晶转为5?15rpm，埚转为0.1?3rpm；控制晶体生长时液面位置+/?0.5mm波动范围；(2)进行滚磨及线切割；(3)进行倒角轮廓设计与加工，进行四次倒角，分别使用800#导轮粗倒2次，1000?3000#导轮精倒2次，使用非对称倒角，轮廓幅长X1大于600μm，X2小于300μm；(4)进行研磨腐蚀，先进行碱腐蚀，再进行酸腐蚀，碱腐蚀去除量控制在5?15μm，酸腐蚀去除量控制在15?20μm；(5)进行抛光，抛光转速控制在30?50rpm，压力控制在300?500kg，化学液浓度控制在1∶15?1∶30，pH值控制在9?13，蜡膜厚度控制在1?3μm；(6)进行清洗检测；(7)进行边缘形状评估。

今年以来有研硅新获得专利授权12个，较去年同期增加了140%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了4307.73万元，同比减0.92%。

数据来源：天眼查APP

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