卓胜微获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示卓胜微（300782）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202311200806.0，授权日为2024年8月16日。

专利摘要：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：支撑基板，第一面走线层，位于支撑基板上方，第一面走线层具有第一厚度；介质层，位于第一面走线层远离支撑基板的一侧；半导体器件，位于第一面走线层与介质层之间，半导体器件连接第一面走线层；第二面走线层，位于介质层远离第一面走线层的一侧，第二面走线层具有第二厚度，且第一厚度与第二厚度不同；互连柱，贯穿介质层且连接第一面走线层和第二面走线层。本发明的半导体结构及其制备方法中，通过将第一面走线层和第二面走线层分别设置于介质层的两侧，并且使用互连柱连接第一面走线层和第二面走线层，以此达到简化制备走线层的目的。

今年以来卓胜微新获得专利授权25个，较去年同期增加了150%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了6.29亿元，同比增39.99%。

数据来源：天眼查APP

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