捷捷微电获得发明专利授权：“降低开关损耗的分离栅MOSFET器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示捷捷微电（300623）新获得一项发明专利授权，专利名为“降低开关损耗的分离栅MOSFET器件及其制造方法”，专利申请号为CN202010317951.7，授权日为2024年8月13日。

专利摘要：本发明涉及一种降低开关损耗的分离栅MOSFET器件及其制造方法，它包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、沟槽、第二导电类型体区、第一导电类型源区、绝缘介质层、栅极金属、源极金属、控制栅多晶硅、栅氧化层、分离栅多晶硅、介质隔离腔与漏极金属，所述分离栅多晶硅的体积小于控制栅多晶硅的体积，且所述分离栅多晶硅与控制栅多晶硅之间的介质隔离腔的厚度大于栅氧化层的厚度。本发明降低了开关损耗、解决了IGSS漏电过大的问题，本发明能提高沟槽底部的拐角处的耐压能力并可精确调节输入电容Ciss和输出电容Coss的大小。本发明的制造工艺均与已广泛使用的半导体制造技术工艺兼容，利于推广和批量生产。

今年以来捷捷微电新获得专利授权17个，较去年同期增加了240%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了2.57亿元，同比增20.78%。

数据来源：天眼查APP

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