天岳先进获得发明专利授权：“一种提高碳化硅衬底质量的处理方法及装置”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示天岳先进（688234）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种提高碳化硅衬底质量的处理方法及装置”，专利申请号为CN202110750303.5，授权日为2024年8月13日。

专利摘要：本申请公开了一种提高碳化硅衬底质量的处理方法及装置，属于半导体材料清洁技术领域。该装置包括：上壳体和下壳体，所述碳化硅衬底放置在所述上壳体和下壳体中间，以使得所述碳化硅衬底分别与所述上壳体和下壳体之间形成密闭的第一气源腔和第二气源腔；所述第一气源腔内设置第一进气口和第一出气口，所述第二气源腔内设置第二进气口和第二出气口，清洁气体分别进入至第一气源腔和第二气源腔缓冲后流动至碳化硅衬底的上表面和下表面，并分别自所述第一出气口和第二出气口流出。使用该装置对碳化硅衬底进行清洁，能够提高碳化硅衬底C面和Si面的表面一致性，进而提高外延质量。

今年以来天岳先进新获得专利授权23个，较去年同期增加了91.67%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了1.37亿元，同比增7.57%。

数据来源：天眼查APP

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