兆易创新获得发明专利授权：“半导体器件的制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示兆易创新（603986）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件的制造方法”，专利申请号为CN202010174821.2，授权日为2024年8月13日。

专利摘要：本申请公开了一种半导体器件的制造方法，该制造方法包括：在衬底上形成栅极结构；在衬底中形成掺杂区，掺杂区至少位于栅极结构的一侧；形成覆盖衬底与栅极结构的绝缘结构；去除绝缘结构的第一部分，以便于形成第一凹部，第一凹部自绝缘结构的表面向衬底延伸至第一预设深度且与掺杂区的位置对应；以及经第一凹部去除绝缘结构的第二部分，以便于形成贯穿绝缘结构的第一接触孔，至少部分掺杂区被第一接触孔暴露。通过分步去除绝缘结构的第一部分与第二部分形成了穿过绝缘结构的第一接触孔，降低了形成第一接触孔的工艺难度，使得第一接触孔不仅可以到达衬底，并且保证了第一接触孔的形貌正常，从而提高了器件的可靠性。

今年以来兆易创新新获得专利授权61个，较去年同期增加了177.27%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了9.9亿元，同比增5.81%。

数据来源：天眼查APP

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