捷捷微电获得发明专利授权：“超低导通电阻分离栅MOSFET器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示捷捷微电（300623）新获得一项发明专利授权，专利名为“超低导通电阻分离栅MOSFET器件及其制造方法”，专利申请号为CN202010163194.2，授权日为2024年8月9日。

专利摘要：本发明涉及超低导通电阻分离栅MOSFET器件及其制造方法，在N外延层内设有包围沟槽的Al4Si合金晶粒层，在沟槽的下段槽体内设有场氧层，在场氧层内设有屏蔽栅导电多晶硅，在沟槽的上段槽体内设有栅极导电多晶硅与栅氧层，栅极导电多晶硅位于栅氧层内；在介质层、N+源区与P阱区上开设有接触孔，接触孔从介质层的上表面向下穿透介质层、N+源区并最后进入P阱区内，在接触孔内设有接触条，接触条的上端部与发射极金属相连，接触条与N+源区以及P阱区欧姆接触，且接触条的宽度自上而下逐渐缩小。本发明结构简单，本发明提供的器件在正向导通时可以大大降低导通电阻；本发明的制造方法步骤较少且简单易行。

今年以来捷捷微电新获得专利授权16个，较去年同期增加了220%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了2.57亿元，同比增20.78%。

数据来源：天眼查APP

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