新洁能获得发明专利授权：“一种降低开关损耗的半导体结构及制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示新洁能（605111）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种降低开关损耗的半导体结构及制造方法”，专利申请号为CN202010163280.3，授权日为2024年8月2日。

专利摘要：本发明涉及一种降低开关损耗的半导体结构及制造方法。包括从下至上依次层叠设置的漏极、第一导电类型衬底和第一导电类型外延层；第一导电类型外延层中形成多个第二导电类型体区，多个第二导电类型体区间隔分布；第二导电类型体区中重掺杂形成第一导电类型第二源区，在所述第一导电类型第二源区一侧的第二导电类型体区中重掺杂形成第一导电类型第一源区；在相邻的第一导电类型第一源区和第一导电类型第二源区之间设有控制栅结构；在第一导电类型第二源区远离第一导电类型第一源区的一侧设有虚栅结构；在降低开关损耗的半导体结构上表面沉积绝缘介质层；在第一导电类型第一源区的中部位置处，从绝缘介质层的上表面向下开设形成连接孔，连接孔向下延伸至第一导电类型第一源区中。

今年以来新洁能新获得专利授权18个，较去年同期增加了100%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了8731.42万元，同比减13.3%。

数据来源：企查查

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