扬杰科技获得实用新型专利授权：“碳化硅场效应晶体管”

证券之星消息，根据企查查数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“碳化硅场效应晶体管”，专利申请号为CN202322893083.9，授权日为2024年6月28日。

专利摘要：碳化硅场效应晶体管。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的碳化硅衬底和碳化硅漂移层，所述碳化硅漂移层的顶面设有若干间隔向下延伸的沟槽；还包括：PW区，位于所述沟槽处；NP区，位于所述沟槽处，从所述碳化硅漂移层的顶部向下延伸，包裹于所述PW区内；所述NP区的深度小于沟槽的深度；PP区，设置在所述沟槽处，位于所述NP区的下方；栅氧层，设置在相邻沟槽之间，位于所述碳化硅漂移层的顶面；Poly层，设置在所述栅氧层的顶面；隔离层，设置在所述Poly层上，并从侧部向下延伸至NP区；欧姆接触金属层，设置在沟槽内，并与隔离层的侧部相连；本实用新型可降低体二极管的导通电阻，减少其在续流过程中产生的损耗。

今年以来扬杰科技新获得专利授权49个，较去年同期增加了113.04%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了3.56亿元，同比增21.57%。

数据来源：企查查

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