乾照光电获得发明专利授权：“发光二极管的芯片及其量子阱结构和制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示乾照光电（300102）新获得一项发明专利授权，专利名为“发光二极管的芯片及其量子阱结构和制造方法”，专利申请号为CN201810596840.7，授权日为2024年7月9日。

专利摘要：本发明公开了一发光二极管的芯片及其量子阱结构和制造方法，其中所述发光二极管的芯片包括依次层叠的一衬底、一氮化镓缓冲层、一N型氮化镓层、一量子阱结构、一P型电子阻拦层以及一P型氮化镓层，其中所述量子阱结构包括至少两量子阱层，每个所述量子阱层依次层叠地形成于所述N型氮化镓层，其中至少一个所述量子阱层形成复合阱，通过这样的方式，所述量子阱结构在提供更为密集和均匀的发光量子点的同时增加电子空穴波函数的交迭程度，从而提高所述发光二极管的发光效率。

今年以来乾照光电新获得专利授权16个，较去年同期增加了45.45%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了1.21亿元，同比增6.42%。

数据来源：企查查

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