光迅科技获得发明专利授权：“一种超辐射发光二极管及其实现方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示光迅科技（002281）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种超辐射发光二极管及其实现方法”，专利申请号为CN202111507704.4，授权日为2024年7月9日。

专利摘要：本发明涉及光纤传感技术领域，提供了一种超辐射发光二极管及其实现方法。其中所述超辐射发光二极管芯片3和热敏电阻4焊接在过渡热沉5上，过渡热沉5焊接在热沉7上；所述第一反射镜61和第二反射镜62分别胶粘在热沉7上，并分别位于所述超辐射发光二极管芯片3的正向出光面侧和背向出光面侧；所述热沉7焊接在半导体制冷器2上，所述超辐射发光二极管芯片3、热敏电阻4和半导体制冷器2分别与TO管座1底部对应的引脚电连接，实现超辐射发光二极管芯片3温控输出。本发明充分发挥了超辐射发光二极管芯片的功率特性，提升了整体的功耗特性。

今年以来光迅科技新获得专利授权46个，较去年同期减少了36.11%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了5.6亿元，同比减15.26%。

数据来源：企查查

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