长光华芯获得发明专利授权：“一种偏振光VCSEL及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种偏振光VCSEL及其制备方法”，专利申请号为CN202410494068.3，授权日为2024年7月5日。

专利摘要：本申请公开了一种偏振光VCSEL及其制备方法，其中一种偏振光VCSEL包括：衬底；位于衬底一侧依次设置的N?CAP层、N?DBR层、有源层、P?DBR层和P?CAP层，P?CAP层远离衬底的一侧设置有牺牲层，牺牲层包括周期性交替生长的第一温度生长层与第二温度生长层。本申请公开的一种偏振光VCSEL及其制备方法，在谐振腔外设置牺牲层，并设置交替生长的第一温度生长层与第二温度生长层引入缺陷，缺陷的存在能够增加其中一个偏振态的光吸收，减弱了该偏振态的溢出，提升了器件的偏振度，有效实现高偏振度VCSEL的制备，为固体激光雷达提供高偏振度理想光源，提升探测距离及精度。

今年以来长光华芯新获得专利授权12个，较去年同期减少了7.69%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了1.19亿元，同比增0.64%。

数据来源：企查查

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