中微公司获得发明专利授权：“一种半导体器件的制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示中微公司（688012）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件的制作方法”，专利申请号为CN201911294734.4，授权日为2024年7月5日。

专利摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件的制作方法，该半导体器件包括依次形成的元件层、第一绝缘层和介质层，其中，所述介质层包括位于所述第一绝缘层表面的刻蚀阻挡层和第一介电层，且所述介质层中具有第二通孔，该方法包括：在所述刻蚀阻挡层形成之后及所述第二通孔形成之前的预设时间，对半导体器件进行检测，获取半导体器件的检测结果；如果半导体器件的检测结果不满足第一条件，去除介质层；在第一绝缘层表面背离元件层一侧重新生长介质层；直至半导体器件的检测结果满足第一条件，以降低由于半导体器件中介质层的形成存在缺陷而影响所述半导体器件良率的概率，从而提高半导体器件的成品良率。

今年以来中微公司新获得专利授权79个，较去年同期增加了6.76%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了8.17亿元，同比增34.91%。

数据来源：企查查

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