芯导科技获得发明专利授权：“一种自对准的场效应晶体管及其制备方法”_股票频道

证券之星消息，根据企查查数据显示芯导科技（688230）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种自对准的场效应晶体管及其制备方法”，专利申请号为CN202110374319.0，授权日为2024年7月5日。

专利摘要：本发明提供一种自对准的场效应晶体管及其制备方法，于硅基外延层的表面和栅极多晶硅的表面依次形成第二氧化层和第二介质层，于栅极多晶硅两边的侧壁区域有侧壁的第二介质层，刻蚀第二介质层并保留侧壁的第二介质层，由侧壁的第二介质层形成接触孔的自对准，刻蚀第二氧化层和硅基外延层形成接触孔。可不通过光刻对准的方式形成有源区接触孔，而是采用侧壁介质层的形式形成有源区接触孔，在器件尺寸进一步缩小时，降低对准难度，优化器件的性能。

今年以来芯导科技新获得专利授权6个，较去年同期增加了50%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了4317.37万元，同比增24.11%。

数据来源：企查查

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