帝奥微获得发明专利授权：“一种EEPROM单元、晶体结构及制备工艺”

证券之星消息，根据企查查数据显示帝奥微（688381）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种EEPROM单元、晶体结构及制备工艺”，专利申请号为CN202410471483.7，授权日为2024年7月5日。

专利摘要：本发明公开了一种EEPROM单元、晶体结构及制备工艺，包含浮栅控制电容、浮栅擦除隧穿电容、浮栅写入隧穿电容、浮栅MOS管和浮栅多晶硅齐纳管。本发明采用两个隧穿电容可以将进行擦除操作的浮栅多晶硅阱电容和进行写入操作的浮栅多晶硅阱电容分开，可以实现隧穿电容的擦写次数提升至现有技术的2倍以上。另外，本发明集成了多晶硅稳压二极管，在擦写的高压施加时，浮栅的保护稳压二极管会实现瞬态的钳位，降低浮栅MOS管的浮栅与源漏之间的压降，从而减少了擦写时高压对浮栅MOS栅氧化层的应力冲击，提升了可靠性。

今年以来帝奥微新获得专利授权28个，较去年同期增加了2700%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了1.46亿元，同比增107.86%。

数据来源：企查查

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