捷捷微电获得发明专利授权：“一种半导体器件的终端结构及其制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示捷捷微电（300623）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件的终端结构及其制造方法”，专利申请号为CN201811356122.9，授权日为2024年7月2日。

专利摘要：本发明涉及一种半导体器件的终端结构及其制造方法，在终端保护区，第一导电类型漂移区内设有若干个环间距相同的场限环，且从有源区指向终端区的方向上，第一个场限环和最后一个场限环为连续场限环，连续场限环间设置有若干个间隔场限环，间隔场限环由若干个间隔分布的场限环注入区包围呈环形，且若干个间隔场限环、间隔场限环与连续场限环均连成一片，形成以场限环注入区为中心的浓度渐变梯度；本发明器件制造方法与现有半导体工艺兼容，不仅能提高器件的耐压能力，且能减小终端的宽度，增大有源区的面积，进而降低器件导通电阻。

今年以来捷捷微电新获得专利授权14个，较去年同期增加了180%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了2.57亿元，同比增20.78%。

数据来源：企查查

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