捷捷微电获得发明专利授权：“一种电容可调的SGTIGBT结构及制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示捷捷微电（300623）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种电容可调的SGTIGBT结构及制备方法”，专利申请号为CN202311772446.1，授权日为2024年7月2日。

专利摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体说是一种电容可调的SGT IGBT结构及制备方法。它包括半导体衬底，半导体衬底的正面有源区内设置有若干个元胞。元胞中至少有一个深沟槽作为SGT IGBT的栅极，深沟槽两侧有离子注入区与第一接触孔结构。其特点是，元胞的深沟槽下部有第一多晶硅填充区，深沟槽的上部含有三个填充多晶硅的浅沟槽。第一多晶硅填充区用于与IGBT的发射极相连，浅沟槽中的多晶硅用于与IGBT的栅极或发射极相连。采用该结构实现了绝缘栅双极型晶体管输入电容、反馈电容的调节，也实现沟道密度的调节。

今年以来捷捷微电新获得专利授权14个，较去年同期增加了180%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了2.57亿元，同比增20.78%。

数据来源：企查查

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