长光华芯获得发明专利授权：“一种多结垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种多结垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法”，专利申请号为CN202410404422.9，授权日为2024年6月21日。

专利摘要：本申请公开了一种多结垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法，其中一种多结垂直腔面发射半导体发光结构包括：衬底；位于衬底一侧且依次堆叠设置的第一布拉格反射镜、谐振腔、第二布拉格反射镜、欧姆接触层和P面电极；谐振腔包括至少两个有源层，相邻的有源层之间通过隧道结层连接；每一有源层远离衬底的一侧设置有氧化层，每一氧化层设置有开口区域；P面电极包围的出光区设置有环形凹槽，环形凹槽内覆盖有调制金属层。本申请公开的一种多结垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法，通过设计环形凹槽并在环形凹槽内形成调制金属层，引入了外延结构之外的损耗层，降低发光结构最终的远场发散角。

今年以来长光华芯新获得专利授权10个，较去年同期减少了23.08%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了1.19亿元，同比增0.64%。

数据来源：企查查

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