芯联集成获得发明专利授权：“一种MEMS器件制造方法及MEMS器件”

证券之星消息，根据企查查数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种MEMS器件制造方法及MEMS器件”，专利申请号为CN202110822242.9，授权日为2024年6月21日。

专利摘要：本发明涉及一种MEMS器件制造方法及MEMS器件，选用SOI绝缘体硅片作为衬底，通过SOI顶层硅与作为结构层的硅晶圆进行硅?硅键合，使整个制造工艺可以兼容VHF工艺；在形成疏水有机膜之前，先在需要去除疏水有机膜的区域淀积一层牺牲层二氧化硅，在形成疏水有机膜后，可以借助VHF工艺将键合区和电极区上的二氧化硅牺牲层刻蚀掉，去除二氧化硅的同时也一并将键合区和电极区上的疏水有机膜去除干净，而其他区域需要保留的疏水有机膜则不会受到影响。本发明所公开的制造方法工艺简单、可实施性强、能够同时将键合区和电极区上的疏水有机膜去除干净，且不会对其他区域保留下来的疏水有机膜造成破坏。

今年以来芯联集成新获得专利授权44个，较去年同期增加了51.72%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了15.29亿元，同比增82.25%。

数据来源：企查查

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