证券之星消息,根据企查查数据显示ST华微(600360)新获得一项发明专利授权,专利名为“沟槽肖特基器件”,专利申请号为CN201811578438.2,授权日为2024年6月18日。
专利摘要:本发明提供了一种沟槽肖特基器件,涉及半导体器件的技术领域,包括单晶层和设置在单晶层上的金属硅化物层、沟槽肖特基器件形成贯穿金属硅化物层以及贯穿部分单晶层的沟槽,沟槽包括宽径区、窄径区和变径区,变径区为由窄径区过渡到宽径区的区域,宽径区和部分变径区位于单晶层内,解决势垒金属溅射困难的问题,进而极大程度地缓解漏电现象。
今年以来ST华微新获得专利授权13个,较去年同期减少了35%。结合公司2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了1.06亿元,同比增0.85%。
数据来源:企查查
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