芯联集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制作方法”，专利申请号为CN202011287269.4，授权日为2024年6月7日。

专利摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制作方法。其中方法包括：在第一SOI晶圆中的第一硅材料层的第一表面形成沟第一槽结构，其中第一沟槽的深度小于第一硅材料层的厚度；将经过氧化处理后的硅晶圆与第一SOI晶圆进行键合，形成第一复合结构；对第一复合结构进行减薄，去除第一背衬底和第一绝缘层；在第一硅材料层的第二表面进行第二次刻蚀以形成下电极结构，并同时形成第二沟槽以至少暴露出部分第一沟槽。本发明中由于两次刻蚀过程是在所述第一硅材料层的两个表面分别进行的，因此不会在沟槽台阶边界处形成硅草，从而解决了因目前因台阶边界处形成硅草导致MEMS结构失效的问题，提高了产品良率。

今年以来芯联集成新获得专利授权39个，较去年同期增加了56%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了15.29亿元，同比增82.25%。

数据来源：企查查

以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成（网信算备310104345710301240019号），与本站立场无关，如数据存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。