证券之星消息,根据企查查数据显示长光华芯(688048)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种半导体发光测试结构及其制备方法和测试方法”,专利申请号为CN202410116414.4,授权日为2024年5月28日。
专利摘要:本发明提供一种半导体发光测试结构及其制备方法和测试方法,半导体发光测试结构包括:位于半导体衬底层上的下限制层;位于部分下限制层背离半导体衬底层一侧的发光体;发光体包括:自下至上依次排布的下波导层、有源层、上波导层和上限制层;发光体具有前腔面和后腔面,所述前腔面为平面,后腔面与前腔面在慢轴方向两侧的侧边连接,后腔面背离前腔面凸出;后腔面与下限制层的交线呈圆弧或者椭圆弧;或者,后腔面包括依次连接的第一平面腔壁至第N平面腔壁,N为大于或等于2的整数,第一平面腔壁与前腔面在慢轴方向一侧的侧边连接,第N平面腔壁与前腔面在慢轴方向另一侧的侧边连接。提高了测试电致发光光谱的准确度。
今年以来长光华芯新获得专利授权8个,较去年同期减少了33.33%。结合公司2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了1.19亿元,同比增0.64%。
数据来源:企查查
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