芯联集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制备方法、半导体集成电路及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制备方法、半导体集成电路及其制备方法”，专利申请号为CN202410199362.1，授权日为2024年5月24日。

专利摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法、半导体集成电路及其制备方法。该半导体器件中，在元胞区内设置有第一晶体管器件，在整流区内形成有超势垒整流区，第一晶体管器件中的第一栅极介质层和第一栅电极形成在第一沟槽内，而超势垒整流器中的第二栅极介质层和第二栅电极则形成在衬底的顶表面上，使得超势垒整流器中位于衬底顶表面上的栅极结构可以更灵活的制备，有利于简化工艺。进一步的，可将超势垒整流器的栅极结构与其他器件（例如BCD器件中的第二晶体管器件）的平面型栅极结构的制备工艺相结合，以利用集成设置的其他器件的平面型栅极结构的制备工艺寄生形成超势垒整流器的栅极结构，大大简化了集成电路的制备工艺，有效降低了制备成本。

今年以来芯联集成新获得专利授权33个，较去年同期增加了57.14%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了15.29亿元，同比增82.25%。

数据来源：企查查

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