杰华特获得发明专利授权：“横向双扩散晶体管的电路模型及其建模方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示杰华特（688141）新获得一项发明专利授权，专利名为“横向双扩散晶体管的电路模型及其建模方法”，专利申请号为CN202011318318.6，授权日为2024年5月24日。

专利摘要：本发明公开了一种横向双扩散晶体管的电路模型及其建模方法，该电路模型包括：标准BSIM4模型；串联于标准BSIM4模型上的栅端?体端等效电容，包括多个栅端?体端等效电容修正项系数，用于修正栅端?体端电容；串联于标准BSIM4模型上的栅端?漏端等效电容，包括多个栅端?漏端等效电容修正项系数，用于修正栅端?漏端电容，其中，该电路模型用于表征横向双扩散晶体管的电容特性。该LDMOS的电路模型及其建模方法在BSIM4模型的基础上，加上了定制的栅端?体端等效电容和栅端?漏端等效电容，使得该电路模型在利用BSIM4模型的收敛性、兼容性和较快的仿真速度的同时，也能准确的表征LDMOS的电容特性，克服了BSIM模型无法准确表征LDMOS的电容特性的问题。

今年以来杰华特新获得专利授权45个，较去年同期增加了164.71%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了4.99亿元，同比增63.88%。

数据来源：企查查

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