芯联集成获得实用新型专利授权：“一种半导体器件及电子装置”

证券之星消息，根据企查查数据显示芯联集成（688469）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种半导体器件及电子装置”，专利申请号为CN202322805503.3，授权日为2024年5月14日。

专利摘要：本实用新型提供了一种半导体器件及电子装置，该半导体器件包括：衬底；至少两个深沟槽，自所述衬底的第一表面延伸至所述衬底中，所述深沟槽具有上大下小的开口部，所述深沟槽位于所述开口部的下方的部分中填充有栅极材料层，所述开口部中填充有介质层；至少一个接触孔，自所述衬底的第一表面延伸至所述衬底中，并位于相邻所述深沟槽之间。本申请方案中的深沟槽具有上大下小的开口部，有利于后续工艺中的栅极材料的填充，且能够通过调节开口部的开口宽度来定义接触孔的宽度，解决了接触孔对准偏移的问题，并能够减小节距尺寸。

今年以来芯联集成新获得专利授权27个，较去年同期增加了35%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了15.29亿元，同比增82.25%。

数据来源：企查查

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