阿特斯获得发明专利授权：“背接触电池的制备方法及背接触电池”

证券之星消息，根据企查查数据显示阿特斯（688472）新获得一项发明专利授权，专利名为“背接触电池的制备方法及背接触电池”，专利申请号为CN202011611034.6，授权日为2024年5月14日。

专利摘要：本申请提供了一种背接触电池的制备方法与背接触电池，所述制备方法包括对硅基底进行表面处理后，在硅基底的背面进行扩散，形成第一掺杂层及位于所述第一掺杂层背离硅基底一侧表面上的氧化层，然后，去除第一区域背面的氧化层与第一掺杂层；在硅基底背面依次制备隧穿层与掺杂多晶硅层，然后，去除第二区域背面的掺杂多晶硅层；再依次进行清洗、镀膜与金属化，得到背接触电池。上述制备方法在第一掺杂层及掺杂多晶硅层的去除过程中，通过氧化层对第二区域进行保护，避免第二区域背面的第一掺杂层出现损伤，无需另行制备保护层，后续清洗亦较为方便，简化工艺，降低生产成本。

今年以来阿特斯新获得专利授权57个，较去年同期减少了25.97%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了7.04亿元，同比增50.81%。

数据来源：企查查

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