新洁能获得发明专利授权：“一种高耐压的碳化硅肖特基二极管及其制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示新洁能（605111）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种高耐压的碳化硅肖特基二极管及其制造方法”，专利申请号为CN201811197310.1，授权日为2024年5月10日。

专利摘要：本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种高耐压的碳化硅肖特基二极管，半导体基板包括N型碳化硅衬底及N型碳化硅外延层，在N型碳化硅外延层内的上部设有若干个间隔分立的条形第一P型阱区及条形第一N型阱区，在条形第一P型阱区和条形第一N型阱区下方或下表面设有若干个间隔分立的条形第二P型阱区及条形第二N型阱区，条形第一P型阱区分别与条形第二P型阱区、条形第二N型阱区间呈30度~90度的夹角；本发明通过在条形第一P型阱区下方设置与条形第一P型阱区呈一定夹角的条形第二P型阱区，同时提高条形P型阱区间条形N型阱区的掺杂浓度，大幅增加器件的击穿电压，改善器件的浪涌电流能力。

今年以来新洁能新获得专利授权13个，较去年同期增加了225%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了8731.42万元，同比减13.3%。

数据来源：企查查

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