新洁能获得发明专利授权：“一种带沟槽的终端结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示新洁能（605111）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种带沟槽的终端结构”，专利申请号为CN201810307605.3，授权日为2024年5月10日。

专利摘要：本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种带沟槽的终端结构，包括用于引出集电极的集电极金属及位于所述集电极金属上方的第一导电类型外延层，在所述第一导电类型外延层表面设有一个第二导电类型阱区及包围所述第二导电类型阱区的若干个第二导电类型场限环，其特征在于，在所述第二导电类型阱区内设置若干个互相平行的沟槽，在所述沟槽内设有位于中心区浮空的导电多晶硅及包裹所述导电多晶硅的栅氧层；本发明通过在阱区内增加沟槽结构来增大主结处的电势，减少场限环的数目，进而减少器件终端宽度，本发明在保证器件耐压能力的同时，减小了器件终端面积，进而减小了整个器件的面积，降低了器件制作成本，提高了性价比。

今年以来新洁能新获得专利授权13个，较去年同期增加了225%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了8731.42万元，同比减13.3%。

数据来源：企查查

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