芯联集成获得实用新型专利授权：“碳化硅半导体器件的终端结构及碳化硅半导体器件”

证券之星消息，根据企查查数据显示芯联集成（688469）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“碳化硅半导体器件的终端结构及碳化硅半导体器件”，专利申请号为CN202322747039.7，授权日为2024年5月10日。

专利摘要：本申请实施例涉及一种碳化硅半导体器件的终端结构及碳化硅半导体器件，碳化硅半导体器件包括具有第一导电类型的衬底，以及位于衬底上的元胞区和终端区；终端结构位于终端区；在元胞区内形成有多个按一定规则排布的具有第二导电类型的柱状掺杂结构，柱状掺杂结构从衬底的表面延伸至内部，第二导电类型与第一导电类型电性相反；终端结构，包括：若干注入环，注入环在平行于衬底平面的方向上环绕元胞区，注入环用于提高器件耐压能力，注入环从衬底的表面延伸至内部，注入环的延伸深度、导电类型和掺杂浓度分别与柱状掺杂结构的延伸深度、导电类型和掺杂浓度相同；如此，通过一种新型的终端结构，提高了器件的耐压能力和工作稳定性。

今年以来芯联集成新获得专利授权25个，较去年同期增加了25%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了15.29亿元，同比增82.25%。

数据来源：企查查

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