新洁能获得发明专利授权：“具有快速反向恢复特性的功率半导体器件及其制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示新洁能（605111）新获得一项发明专利授权，专利名为“具有快速反向恢复特性的功率半导体器件及其制作方法”，专利申请号为CN201910901877.0，授权日为2024年5月10日。

专利摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种具有快速反向恢复特性的功率半导体器件，包括：漏极金属，漏极金属上设置第一导电类型硅衬底，第一导电类型硅衬底上设置有第一导电类型硅外延层，第一导电类型硅外延层内设置沟槽，其中，沟槽内设置有场氧层、屏蔽栅、栅极和虚栅，屏蔽栅被场氧层包围，栅极与虚栅位于沟槽的顶部，栅极与第一导电类型硅外延层之间设置有第一栅氧层，虚栅与第一导电类型硅外延层之间设置有第二栅氧层，第二栅氧层的厚度小于第一栅氧层的厚度。本发明还公开了一种具有快速反向恢复特性的功率半导体器件的制作方法。本发明提供的具有快速反向恢复特性的功率半导体器件能够明显抑制反向恢复电流的峰值。

今年以来新洁能新获得专利授权13个，较去年同期增加了225%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了8731.42万元，同比减13.3%。

数据来源：企查查

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